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世界首款3D高密度NOR閃存原型芯片亮相 
國產新一代閃存芯片或能突圍?

2019-08-07 15:39:32 來源: 中國科技網 作者: 夏青

中國科技網訊(夏青)當地時間8月6日至8日,2019全球閃存技術峰會(Flash Memory Summit)在美國加利福尼亞州圣克拉拉會議中心舉行,吸引了6500余名與會者、120家參展商,其中不乏華為、浪潮、諾存微電子等“中國面孔”。

據悉,該國際性峰會每年舉辦一次,由全球閃存技術學會舉辦,由論壇、展會兩部分組成,僅面向全球存儲業內的技術企業、研發人員和供應商等專業人士開放。行業頭部企業如今年宣布推出28納米級FD-SOI工藝的eMRAM商業化生產的三星(Samsung)、今年發布業界首款QLC企業級固態硬盤的美光(Micron)等紛紛到會;西部數據(Western Digital)的Siva Sivaram博士、Christopher Bergey,東芝(Toshiba)的Jeremy Werner、Shigeo Ohshima,IBM的Steven Eliuk,英特爾(Intel)的Alper Ilkabahar,等等存儲業專家發表了主旨演講;諾存微電子攜世界首款3D高密度NOR閃存原型芯片, 以及國內首批含DTR倍速功能的Octa-SPI和Quad-SPI高速NOR閃存ExpresNOR?系列產品亮相;美光公司總裁Sanjay Mehrotra獲得峰會組委會頒發的終身成就獎。

國產新一代閃存芯片或能突圍?

人工智能、5G、物聯網、大數據等技術的快速發展,帶來數據的爆炸式增長,以及對存儲芯片前所未有的需求,存儲介質和架構也將迎來更快速的更迭變化。據2018年中國閃存市場峰會公布數據,全球半導體存儲市場規模達到1500億美金,其中NAND閃存市場超過570億美金;中國消耗了全球產能的32%,已成為全球存儲產業的支柱市場。然而,全球NAND閃存市場幾乎被三星、東芝、美光、SK海力士四大巨頭壟斷,NOR閃存近43億美金的市場份額也幾乎被賽普拉斯、旺宏、美光、華邦、兆易創新五大廠商瓜分。

“傳統NOR閃存主要是平面結構,但其2D設計已經接近物理上的極限,為克服產品可靠性降低、成本攀升,3D是技術變革趨勢;而世界上3D技術目前主要針對NAND閃存芯片,NOR沒有3D結構推出,”初出茅廬、成立于2015年的的諾存微電子選擇以自主知識產權技術創新“殺出重圍”——“我們研發了世界首款三維高密度NOR閃存原型芯片,兼具傳統NOR的性能優勢和NAND的成本優勢,通過縮減NOR閃存SLC單元大小至僅4F2來大幅降低制造成本,同時保持NOR的隨機訪問功能,適用于代碼運行和數據存儲;低成本+高性能,可與傳統NOR和NAND兩者相競爭。”其創始人彭海兵博士介紹。

經查詢,其三維非易失性NOR型閃存于2015年12月申請發明專利,2018年9月已獲授權。

“志存高遠”也要“腳踏實地”

專注于自主知識產權技術創新,以求沖擊市場、不斷壯大,似乎是年輕的知識密集型高科技公司的常見戰略選擇。但據了解,這家具有啟迪科服、中金前海、中科創星等旗下基金投資背景及由海歸博士、國際知名技術專家、高級管理人才組成的核心團隊的“志存高遠”的企業,在“聚焦3D結構NOR閃存領域”之外,也同時貫徹執行著一些趨于務實的市場策略。

這種思路被彭海兵稱為“分步走”——即,“中長期主推專利技術型高密度存儲陣列,輔以注重高性價比的短期產品及以兼容性替代流行競品的市場模式”。2018年底,其首推的含DTR倍速功能的高速Octa-SPI及Quad-SPI NOR閃存產品,具備高速讀取、高可靠性、低成本特點,填補了國內空白;而具備提速16倍、引腳少、與傳統SPI完全兼容三大優勢的高性能ExpresNOR?系列產品,可廣泛應用于安防系統、路由器、網關、物聯網、手機、消費電子、電腦BIOS、電信設備、汽車電子、工業控制設備及其他智能電子設備。

責任編輯: 桂楷東
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